在全球半导体产业格局加速调整的当下，碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，正引领着一场能源革命与科技变革。近年来，国内企业在碳化硅器件领域的国产化进程呈现出迅猛的提速态势，从衬底材料到功率器件，从技术突破到市场应用，国产力量不断崛起，逐步打破国际垄断，重塑全球碳化硅产业版图。
一、技术突破：打破国际垄断的核心驱动力
（一）衬底制造：国产企业实现跨越式发展
长期以来，碳化硅衬底制造技术一直被国外企业牢牢把控，成为限制国内碳化硅产业发展的关键瓶颈。如今，这一局面正逐步被打破。以天科合达、天岳先进为代表的国内企业在碳化硅衬底制造技术上取得显著突破。 天科合达自2006年创立，通过自主研发和技术积累，已形成拥有自主知识产权的七大关键核心技术体系，覆盖碳化硅材料生产全流程。2024年，其最新研发生产的8英寸碳化硅衬底获得市场认可，技术实力不容小觑。 天岳先进同样成绩斐然，在2025年3月26日的上海SEMICON China 2025大会上，发布了12英寸高纯半绝缘、p型碳化硅衬底，这是公司继2024年11月全球首发12英寸N型碳化硅衬底后的又一重大突破，标志着天岳先进全面迈进12英寸碳化硅新时代。通过数千次实验，天岳先进攻克了衬底尺寸扩大的技术难题，其衬底质量达到国际领先水平，微管缺陷稳定为0，位错缺陷每平方厘米仅几个到几十个，远超同行业标准。目前，天岳先进的8英寸衬底已在市场站稳脚跟，产品不仅供应国内厂商，还远销德国博世、英飞凌等世界知名公司，2024年其全球碳化硅衬底的市场占有率达22.8%，位居国际第一梯队。
（二）器件制造：工艺创新提升产品竞争力
在器件设计与制造工艺方面，国内科研机构和企业如基本半导体（BASiC）、爱仕特等加大研发投入。基本半导体自 2017 年开始布局车用碳化硅器件研发和生产，掌握了碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装、驱动应用等核心技术。2025 年 4 月 24 日，基本半导体车规级碳化硅芯片产线通线仪式在深圳市光明区举行。该产线厂区面积 13000 平方米，洁净室面积超 4000 平方米，配备光刻、氧化、激活等 130 台专业设备，主要生产 6 英寸碳化硅 MOSFET 晶圆。通过打造垂直整合制造模式，基本半导体实现设计与制造的共同迭代，与深圳本土上下游产业链联动发展，同时积极推动先进技术工艺开发，形成具有自主知识产权的下一代碳化硅器件核心技术。目前，其自研的汽车级碳化硅功率模块已收获近 20 家整车厂和 Tier1 电控客户的 30 多个车型定点，成为国内第一批 SiC 碳化硅模块量产上车的头部企业，采用其自研芯片的碳化硅功率器件累计出货已超 3000 万颗，广泛应用于光伏储能、电动汽车等多个领域 。
爱仕特同样在碳化硅器件领域成绩亮眼。早在 2021 年 4 月，爱仕特公司于上海慕尼黑电子展上就展示了第三代半导体碳化硅 MOSFET 系列产品，当中包括基于 SiC 模块技术的电控系统。其自主研制的全 SiC MOS 功率模块已开启批量交付出口进程，并成功与欧洲 BMW 车厂供应商建立合作关系。按照规划，爱仕特将建设碳化硅功率器件研发实验室、车规级碳化硅功率模块封装产线，项目总投资 3.5 亿元，预计建成投产后，碳化硅器件年产能将达 200 万只，年产值不低于 21.9 亿元，将积极配套深圳本地客户在汽车电子、5G 通信、光伏能源等核心产业领域的发展需求，进一步推动国产碳化硅器件在多领域的应用与普及 。
二、成本优势：加速国产替代的重要推手
（一）规模化生产降低制造成本
随着国内企业在碳化硅领域技术的成熟以及产能的逐步释放，规模效应开始显现，成本下降成为国产碳化硅器件的一大竞争优势。以6英寸SiC衬底为例，规模化生产有效摊薄了成本，而8英寸衬底的研发更进一步推动未来成本下降，预计可降低20%-35%。在功率器件层面，国产SiC MOSFET价格较进口产品低20%-30%，凭借这一价格优势，国产碳化硅器件在市场竞争中极具吸引力，加速了国产替代的进程。
（二）全产业链本土化提升性价比
国产碳化硅器件的高性价比还体现在全产业链本土化优势上。从衬底到外延、从器件到模块，国内已构建起完整的产业链体系，减少了中间环节的成本损耗与供应链风险。
例如，基本半导体通过自主研发SiC芯片，并与多家国产汽车主机厂深度合作，形成了 “设计 - 制造 - 应用” 闭环，极大地提升了产品的性价比与市场竞争力。天科合达形成的 “一个研发中心、三家全资子公司和一家控股子公司” 的规模化业务布局，也有助于进一步降低成本，实现对国内外客户的全方位供应，成为全球碳化硅晶片的主要供应商之一。
爱仕特在深圳布局相关研发与生产产线，紧密依托深圳本地完善的电子信息产业生态，从原材料采购到产品销售，各个环节都能高效协同，在降低成本的同时，也能更好地响应市场需求，为客户提供更具性价比的碳化硅器件解决方案 。
三、市场需求：点燃产业增长的强劲引擎
（一）新能源汽车：需求井喷推动产业发展
新能源汽车、光伏 / 储能、充电桩等领域的爆发式增长，为碳化硅器件市场注入了强劲动力。在新能源汽车领域，SiC器件在电动汽车主驱逆变器中可提升能效5%-10%，并节省电池成本，有效提升车辆的续航里程与性能表现。随着国内新能源车渗透率超35%，对碳化硅器件的需求呈现井喷式增长。
理想汽车在碳化硅器件应用方面动作频频，宣布自研的碳化硅功率芯片已完成装机，自研自产的碳化硅功率模块和新一代电驱动总成，已分别在苏州半导体生产基地和常州电驱动生产基地量产下线，这些核心技术将陆续应用于全新推出的纯电动汽车系列中。此外，理想汽车还与意法半导体签署碳化硅长期供货协议，即将推出的800V高压纯电平台将采用意法半导体的第三代1200V SiC MOSFET技术，多维度推动自身新能源汽车产品的升级，也侧面反映出新能源汽车市场对碳化硅器件的旺盛需求。同时，小鹏汽车等国内车企也纷纷在新款车型中采用国产碳化硅功率模块，进一步推动了国产碳化硅器件在汽车领域的广泛应用。
（二）光伏与储能：巨大市场倒逼器件替代
在光伏与储能领域，碳化硅器件同样表现出色。碳化硅逆变器可将光伏系统损耗降低 2%，而国内光伏装机量全球占比超 80%，巨大的市场规模倒逼国产器件替代。某上市电力电子头部企业采用基本半导体的 SiC 模块后，储能变流器功率密度提升 25%，充分凸显了碳化硅器件在光伏 / 储能领域的优势与市场需求。爱仕特也在积极布局光伏与储能市场，其碳化硅功率模块等产品能够适配光伏逆变器等设备的需求，助力提升光伏系统的转换效率、降低能量损耗，随着其相关产品在该领域的推广应用，有望在光伏与储能这片广阔市场中占据一席之地 。
四、政策扶持：产业发展的坚实后盾
（一）国家战略引领产业方向
《中国制造2025》明确将第三代半导体列为重点突破领域，碳化硅因其在高电压、高温环境下的优异性能成为关键发展方向。国家出台多项政策鼓励企业加大研发投入，对国产碳化硅器件给予优先采购权等支持。2023年《汽车芯片推广应用推荐目录》中，国产碳化硅器件占比达35%，政策倾斜效果显著。
（二）地方政策助力企业发展
地方政府积极响应国家战略，通过 “链长制” 等创新举措推动产业集群建设，为国产碳化硅产业发展营造良好政策环境。以深圳为例，作为创新之都，对半导体产业扶持力度极大，爱仕特位于深圳，其碳化硅相关项目得到了深圳地方政策的大力支持，从项目立项到资金扶持，从人才引进到产业配套，各项政策红利为其发展保驾护航，加速了其在碳化硅器件领域的技术研发与市场拓展步伐 。
国内企业在碳化硅器件领域国产化提速是技术、成本、市场与政策多轮驱动的结果。这一趋势不仅推动了国内半导体产业的升级，提升了产业链自主可控能力，更为我国在全球能源革命与科技竞争中赢得了主动权。展望未来，随着技术的持续创新与市场的进一步拓展，国产碳化硅器件有望在全球舞台上大放异彩，引领行业发展新潮流。
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